一扒二脱三插片在线观看_成品禁用app动漫网站还喊疼_日本动漫的18涩涩视频_国产精品va无码网址_国产成人在线三区_韓國激情高潮無遮擋HD_亚洲不卡在线播放_国产精品视频a区_特级做?爰片毛片免费69_黄豆奶视频亚洲一区手机版

歡迎光臨芯普芯半導(dǎo)體(東莞)有限公司

新聞資訊

聯(lián)系我們

當(dāng)前位置:首頁(yè) >> 新聞資訊 >> 行業(yè)新聞

行業(yè)新聞

MOS管的構(gòu)造

發(fā)布日期:2021-09-27 點(diǎn)擊次數(shù):608
在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在再這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極G。這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示 A 、B分別是它的結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。
同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的P+區(qū),及上述相同的柵極制作過(guò)程,就制成為一個(gè)P溝道(PNP型)增強(qiáng)型MOS管。下圖所示分別是N溝道和P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)
11s.jpg
  • 上一篇:IC芯片用途及作用  2023/11/04
  • 下一篇:MOS管的工作原理  2021/09/27
  • 聯(lián)系芯普芯

    0769-82856126

    周一至周五09:00-18:00

    在線(xiàn)咨詢(xún)

    關(guān)注芯普芯

             ©2021 芯普芯半導(dǎo)體(東莞)有限公司 粵ICP備2021133413號(hào)-1